中标信息中标供应商:
(略)
选择理由:总价最低,推荐成交
质疑投诉说明:如有质疑,请在三个工作日内将质疑说明文件递交至学校采购管理部门,逾期不予受理。
项目名称:
(略)
(略)SXNUJJCG
(略)
公告发布日期2024/05/1115:26公告截止日期2024/05/1415:26
公告截止日期2024/05/1415:26
采购单位:
(略)
联系人:
(略)
联系手机中标后在我参与的项目中查看
是否本地化服务否是否需要踏勘否
是否需要踏勘否
踏勘联系人:
(略)
踏勘联系电话:
(略)
踏勘地点:
(略)
踏勘联系时间
采购预算¥99,000.00成交金额¥98,500.00
成交金额¥98,500.00
送货/施工/服务期限2-3月
送货/施工/服务地
(略)C101
售后服务(1)要求用户可以随时通过电话、电子邮件等方式:
(略)
付款条款交货并验收合格后100%付款
其他说明
采购清单1采购内容数量单位:
(略)
(略)1(套)¥98,500.00
是否进口否
(略)/
技术参数要求1、真空极限:优于9.0×10-8mbar(烘烤后)2、基片:基片台有负偏压装置,可加-200V的负偏压,可实现对样品的刻蚀,改善样品的致密性等参数3、溅射靶:4个2inch圆形阴极,强磁场1个,普磁场3个,可开展Pt、Ta、SiO2、NiFe镀膜生长4、
(略):
(略)氩气质量流量计进气,实现溅射气压的调节5、工作模式:向上溅射(基片台再腔室顶部,靶在腔室底部)6、膜厚均匀性:
(略)域达4inch,保证30mm×30mm区域均匀性3%7、报警及保护:对靶、泵、电机缺水、过流过压、断路等异常情况进行监控报警并执行相应保护措施
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