GaN晶圆加工（Dlmu-FS-20240263）单一来源公示

（略）：Dlmu-FS-（略）
项目名称：（略）
公示时间：2024年07月03日-2024年07月08日
拟成交单位：（略）
采购预算：（略）
采购内容：E-modeGaN集成晶圆3片，蓝宝石衬底2片，硅衬底1片。光罩版数据提供甲方无偿使用。实现耐压250V和350V。
技术指标如下：
350VemodeGaN
参数
描述
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位：（略）
GaNFET特性
BVDSS
漏源耐压
VGS=0V,VDS=350V
350
V
IDSS
漏源漏电流
VGS=0V,VDS=350V
0.2
25
uA
RDSON
导通电阻
Vgate=6V,IDS=4ATC=27℃
87
100
mΩ
VSD
源漏的反向导通电压
VPWM=6V,ISD=4A
3.5
5
V
QOSS
输出电荷
VDS=350V,VPWM=0V
19
nC
QRR
反向恢复电荷
VDS=350V,VPWM=0V
0
nC
Coss
输出电容
VDS=350V,VPWM=0V
21
pF
250VemodeGaN
参数
描述
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位：（略）
GaNFET特性
BVDSS
漏源耐压
VGS=0V,VDS=250V
250
V
IDSS
漏源漏电流
VGS=0V,VDS=250V
0.2
25
uA
RDSON
导通电阻
Vgate=6V,IDS=4ATC=27℃
87
100
mΩ
VSD
源漏的反向导通电压
VPWM=6V,ISD=4A
3.5
5
V
QOSS
输出电荷
VDS=250V,VPWM=0V
21.5
nC
QRR
反向恢复电荷
VDS=250V,VPWM=0V
0
nC
Coss
输出电容
VDS=250V,VPWM=0V
24
pF
单一来源理由：本次采购的器件加工需要在蓝宝石衬底上采用独有的多缓冲层制备技术实现增强型氮化镓器件。此外，部分设计器件的加工需要兼顾考虑抗辐射加固工艺条件。由于委托加工GaN晶圆数量只有3片，数量太少，foundry不会单独给我们进行加工，只能委托具有相同类型GaN（略），搭载其订单实现。经调研，（略）在氮化镓半导体器件领域具有丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务（特别适合于具有实验性质的器件流片），是目前唯一能够满足用户要求并愿意提供加工服务的厂家。因此，拟采用单一来源采购方式：（略）
论证小组成员：曹菲,包梦恬,宋延兴
有关单位：（略）
联系人：（略）
联系电话：（略）
国有资产与实验室管理处
（略）
2024年07月03日