氧化镓器件加工(Dlmu-FS-
(略))单一来源公示
(略):Dlmu-FS-
(略)项目名称:
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单一来源理由:本次采购的氧化镓器件加工,需要将4吋的氧化镓晶圆切割成8×8mm的方形小片,并以此为衬底制备氧化镓功率器件。器件的加工需要超高真空,采用PEALD方法生长Al2O3薄膜,采用PECVD方法来沉积Si3N4介质层,加工时需要适当的基片加热温度,加工过程需要特定的综合工艺制备方案。另外根据图形化需求,需要加工单位:
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论证小组成员:曹菲,宋延兴,包梦恬有关单位:
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联系人:
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2024年08月17日
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