CCD位移辐照损伤第一性原理计算

主要内容一、项目名称：（略）
（1）计算面阵CCD像素单管辐照（略）域构成材料的位移辐照损伤缺陷的形成能和迁移能势垒，形成能的能量精度控制在毫电子伏（meV）量级，迁移能势垒的计算精度能预测辐照后温度升高时缺陷的聚集、复合和解离，与公开文献报道结果的计算误差小于20%。
（2）计算面阵CCD像素单管辐照（略）域构成材料中位移辐照损伤缺陷的阈值位移能，与公开文献报道的结果相比，计算误差小于20%。
（3）计算面阵CCD像素单管辐照（略）域构成材料中位移辐照损伤缺陷的相互作用半径和结合能，与公开文献报道的结果相比，计算误差小于20%。
（4）计算辐照前后面阵CCD像素单管辐照（略）域构成材料的态密度图、差分电荷密度图和能带结构图。
（5）计算辐照前后面阵CCD像素单管的整体能带结构图，并分析辐照诱发面阵CCD像素单管位移损伤缺陷的典型特征。
四、投标人资格条件1、具有独立承担民事责任的能力；2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；4、有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录5、参加政府采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录；6、供应商成立时间不少于2年，且为非外资独资或外资控股企业；7、单位：（略）
本项目于2024年8月8（略）发布，截止文件递交时间2024年8月23日17时00分（北京时间），只有兰州大学一家供应商报名并购买了竞争性谈判文件，潜在供应商不足，第一次采购失败；二次采购公告于2024年8月29（略）发布，至文件递交截止时间2024年9月11日17时00分（北京时间），只有兰州大学一家供应商报名并购买了竞争性谈判文件，潜在供应商不足，第二次采购失败。根据项目采购方案中“十一、谈判失败的可能情形及处理办法应答人不足开标数量时，本项目将重新发布信息组织谈判，若再次发布仍只有一家满足要求，发布单一来源公示，公示无异议转为单一来源进行；评审过程中可排序单位：（略）
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